مقاله مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني با نگاشت فضايي عصبي

توضیحات پروژه

  مقاله مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني با نگاشت فضايي عصبي دارای 6 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني با نگاشت فضايي عصبي  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه و مقالات آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي مقاله مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني با نگاشت فضايي عصبي،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد

بخشی از متن مقاله مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني با نگاشت فضايي عصبي :

تعداد صفحات:6

چکیده:

در این مقاله روش کارآمدی برای مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی با استفاده از مدل تقریبی و به کمک شبکه عصبی ارائه شده است. بر خلاف مدل های دقیق که دارای پیچیدگی بالا و هزینه زمانی وپردازشی زیادی هستند، روش پیشنهادی از پیچیدگی کمتر و سرعت پردازش بیشتری برخوردار است. در این روش از شبکه عصبی پیشخور برای محاسبه پارامتر اصلاحی در مدل نفوذ-رانش استفاده شده است. بدین صورت حل مدل تقریبی اصلاح شده منجر به جواب دقیق می شود. روش پیشنهادی برای ترانزیستور اثر میدانی سیلیکونی نازک به صورت دو بعدی و برای دو حالت درونیابی و برونیابی در رنج محدود ، شبیه سازی شده است که نتایج آن برای متغیرهای اساسی مدل، مثل توزیع الکترون و پتانسیل در طول ترانزیستور در ولتاژهای مختلف، دقت بالای روش پیشنهادی را تایید می کنند.

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید