پاورپوینت حافظه و انواع آن در كامپیوتر

توضیحات

توجه : این پروژه به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

  پاورپوینت حافظه و انواع آن در كامپیوتر دارای 35 اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در Power Point می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل پاور پوینت پاورپوینت حافظه و انواع آن در كامپیوتر  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

لطفا به نکات زیر در هنگام خرید

دانلود پاورپوینت حافظه و انواع آن در كامپیوتر

توجه فرمایید.

1-در این مطلب، متن اسلاید های اولیه 

دانلود پاورپوینت حافظه و انواع آن در كامپیوتر

2-به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید

4-در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

5-در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون زیر قرار داده نشده است

بخشی از متن پاورپوینت حافظه و انواع آن در كامپیوتر :

اسلاید 1 :

حافظه و انواع آن در كامپیوتر

• حافظه با هدف ذخیره سازی اطلاعات ( دائم ، موقت ) در كامپیوتر استفاده می گردد. انواع متفاوتی از حافظه دركامپیوتر استفاده می شود

اسلاید 2 :

استفاده از حافظه صرفا” محدود به كامپیوترهای شخصی نبوده و در دستگاههای متفاوتی نظیر : تلفن های سلولی، PDA ، رادیوهای اتومبیل ، VCR ، تلویزیون و ; نیز در ابعاد وسیعی از آنها استفاده می شود.هر یك از دستگاه های فوق مدل های  متفاوتی از حافظه را  استفاده می كنند

اسلاید 3 :

انواع حافظه

حافظه ها را می توان بر اساس شاخص های متفاوتی تقسیم بندی كرد .  Volatile و Nonvolatile نمونه ای از این تقسیم بندی ها است .  حافظه های volatile بلافاصله پس از خاموش شدن سیستم اطلاعات خود را از دست می دهند. و همواره برای نگهداری اطلاعات خود به منبع تامین انرژی نیاز خواهند داشت . اغلب حافظه های RAM در این گروه قرار می گیرند. حافظه های Nonvolatile داده های خود را همچنان پس از خاموش شدن سیستم حفظ خواهند كرد. حافظه ROM نمونه ای از این نوع حافظه ها است .

اسلاید 4 :

 حافظه RAM

حافظه (RAM)Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما” دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM)Serial Access Memory وجود دارند.

اسلاید 5 :

حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا” امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما” بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند . داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

اسلاید 6 :

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید

اسلاید 7 :

خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخیره سازی مقدار” یک”  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد

علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری ” بازخوانی / بازنویسی اطلاعات” در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد

اسلاید 8 :

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

اسلاید 9 :

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضغیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار “یک” خوانده شده و در غیراینصورت مقدار “صفر” خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

اسلاید 10 :

سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در  سلول ها استفاده ننمایند، بتنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است  سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر  باشند.مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد

برای دریافت اینجا کلیک کنید