دانلود مقاله بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع pdf

توضیحات

  مقاله بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع pdf دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع pdf  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع pdf،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی وابستگی موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ترانزیستور اثر میدانی به طول کانال ترانزیستور در محدودهی دمایی دمای اتاق تا نیتروژن مایع pdf :

تعداد صفحات:8

چکیده:

مدلی جامع برای موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی MOSFETبرحسب دما، میدان مؤثر عمودی و طول کانال ارائه شده است.بدین منظور ترانزیستورهایی در چهار سایز مختلف با طول کانالهای متفاوت ساخته شد و موبیلیتی آنها در دمای اتاق و نیتروژن مایع و نیزچندین دمای میانی اندازه گیری شد، از روی نتایج این اندازه گیریها میزان هریک از مکانیزمهای پراکندگی در هر دما و برای هر طول کانال استخراج شد و با تطبیق این نتایج با منحنیهای چند جملهای نهایتاً وابستگی این مکانیزمها به طول کانال بدست آمد. بر اساس این نتایج مدلی جامع برای موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ماسفت ارائه شد که تا حدود زیادی پارامترهای ساختاری ماسفت از جمله چگالی ناخالصی بدنه و ضخامت اکسید گیت در این مدل لحاظ شدهاست

برای دریافت اینجا کلیک کنید