دانلود مقاله بررسی اثرات خودگرمایی ساختارهای دارای صفحات میدان در افزاره های AlGaN/GaN HEMT pdf

توضیحات

  مقاله بررسی اثرات خودگرمایی ساختارهای دارای صفحات میدان در افزاره های AlGaN/GaN HEMT pdf دارای 5 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی اثرات خودگرمایی ساختارهای دارای صفحات میدان در افزاره های AlGaN/GaN HEMT pdf  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثرات خودگرمایی ساختارهای دارای صفحات میدان در افزاره های AlGaN/GaN HEMT pdf،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی اثرات خودگرمایی ساختارهای دارای صفحات میدان در افزاره های AlGaN/GaN HEMT pdf :

تعداد صفحات:5

چکیده:

در این مقاله تاثیر خودگرمایی برمشخصه جریان – ولتاژ افزاره AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرارگرفته است نتایج این بررسی نشان میدهد خودگرمایی افزاره به شدت تحت تاثیر تراکم خطوط میدان الکتریکی در راستای کانال افزاره می باشد اغلب به منظور افزایش ولتاژ شکست گیت افزاره از صفحه میدان در ساختار افزاره ها جهت کاربردهای ولتاژ بالا استفاده می شود با توجه به نتایج شبیه سازی مشخص شده است که استفاده از صفحات میدان سبب تشدید اثر خودگرمایی در افزاره می شود دراین مقاله نشانداده شده است که استفادها ز صفحه میدان در ساختار افزاره منجر به کاهش 10 درصدی جریان درین نسبت به ساختار بدون صفحه میدان میشود چگونگی تاثیر استفادها ز صفحه میدان بررفتار گرمایی افزاره AlGaN/GaN HEMT بیان گردیده است.

برای دریافت اینجا کلیک کنید