مقاله مدلسازی آشکارساز نوری حلقوی تک حامل روندهp-Ge/i-Si/n-Si تحت word دارای 8 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مدلسازی آشکارساز نوری حلقوی تک حامل روندهp-Ge/i-Si/n-Si تحت word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مدلسازی آشکارساز نوری حلقوی تک حامل روندهp-Ge/i-Si/n-Si تحت word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
تعداد صفحات:8
چکیده:
در این مقاله، آشکارساز حلقوی تک حامل رونده p-Ge/i-Si/n-Siطراحی و ارائه می شود. الگوی ارائه شده برای ساختارp-Ge/i-Si/n-SiMR-UTC-PDمتشکل از الگوهای ساختار آشکارساز تک حامل روندهp-Ge/i-Si/n-Si و ساختار موجبر حلقوی تزویج شده با موجبر مستقیم است. پاسخ نوری آشکارساز p-Ge/i-Si/n-Si MR-UTC-PD و مشخصه های عملکردی آن از قبیل پاسخ فرکانسی و بازده کوانتومی با استفاده از مدل رانشی -نفوذی محاسبه می شود. نتایج ارائه شده نشان می دهد که با استفاده از این آشکارساز سیلیکنی جدید، چالش موجود در بهبودهمزمان بازده و عرض باند در گستره وسیعی از عرض باند برطرف می شود، بگونه ای که در فرکانسهای چند صد گیگاهرتز، بازده کوانتومی بیشتر از 095 قابل دستیابی است.
برای دریافت اینجا کلیک کنید
تعداد کل پیام ها : 0