مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN تحت pdf

توضیحات

 مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN تحت pdf دارای 7 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN تحت pdf  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN تحت pdf،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN تحت pdf :

تعداد صفحات:7

چکیده:

دراین مدل تحلیلی تاثیر جریان نشت گیت برروی پارامترهای سیگنال کوچک مداربادرنظرگرفتن جریانهای سطحی , جریانهای حجمی ,جریانهای تونل زنی وجریان گسیل گرمایونی درترانزیستورهای اثرمیدان ساختارهای نامتجانس بررسی شده است. نتایج تحقیق نشان می دهدباافزایش ولتاژگیت-سورس ظرفیت خازن بطورچشمگیری افزایش می یابدواین درصورتی است که پهنای ناحیه تهی کاهش یابد و با کاهش پهنای ناحیه تهی جریان نشت گیت نیز افزایش می یابد.

برای دریافت اینجا کلیک کنید