مقاله تشکیل نازک ترین لایه های ممکن بر زیر لایه ی Si(111)

توضیحات

  مقاله تشکیل نازک ترین لایه های ممکن بر زیر لایه ی Si(111) دارای 5 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تشکیل نازک ترین لایه های ممکن بر زیر لایه ی Si(111)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تشکیل نازک ترین لایه های ممکن بر زیر لایه ی Si(111)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تشکیل نازک ترین لایه های ممکن بر زیر لایه ی Si(111) :

تعداد صفحات:5

چکیده:

هر چند ضخامت گیت اکسیدی که امروزه در نانو ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفت بکار می رود حدود یک نانومتر است ولی نیاز صنعت همان طوری که در قانون مور پیش بینی شده است کم تر از یک نانومتر می باشد. به همین دلیل، یک سری آزمایشاتی را به منظور رشد نازک ترین اکسید خالص انجام داده ایم که توانستیم حدود 7 آنگستروم اکسیدسیلیکون تمیز را تحت شرایط فراخلا بر زیرلایه ی Si(III) رشد دهیم. آنگاه ساختار پیوندهای شیمیایی آن را با تکنیک فوتو گسیلی XPS مطالعه کردیم.

برای دریافت اینجا کلیک کنید