مقاله محاسبه خاصیت دی الکتریکی لایه های نازک SiO2 و Ta2O5 با استفتده از الگوی صفحات موازی دارای 12 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله محاسبه خاصیت دی الکتریکی لایه های نازک SiO2 و Ta2O5 با استفتده از الگوی صفحات موازی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله محاسبه خاصیت دی الکتریکی لایه های نازک SiO2 و Ta2O5 با استفتده از الگوی صفحات موازی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
تعداد صفحات:12
چکیده:
دراین الگو نیروی جاذبه بین سوزن میکروسکوپ نیرو اتمی و سطح را برای لایه ی نازکی از جنس Ta2O5 _ SiO2و ترکیبات مشابه که روی زیر لایه SiنوعNقرار دارد با اعمال ولتاژ بایاس ثابت محاسبه شده است بر هم کنش غالب بین سوزن و سطح نیروی واندروالس بوده ولی هنگامی که ولتاژ بایاس مناسبی به سیستم وارد میشود نیروی جاذبه افزایش یافته که ناشی از بر هم کنش کلونی است نتایج بدست آمده حاکی از خاصیت ضعیف تر دب الکتریکی Ta2O5نسبت به Sio2 بر خلاف انتظرات تئوری است.
برای دریافت اینجا کلیک کنید
تعداد کل پیام ها : 0