مقاله ارائه شبیه ساز مدارات متشکل از ترانزیستورهای تک الکترونی چند مقداری در سطح گیت

توضیحات

  مقاله ارائه شبیه ساز مدارات متشکل از ترانزیستورهای تک الکترونی چند مقداری در سطح گیت دارای 7 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ارائه شبیه ساز مدارات متشکل از ترانزیستورهای تک الکترونی چند مقداری در سطح گیت  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ارائه شبیه ساز مدارات متشکل از ترانزیستورهای تک الکترونی چند مقداری در سطح گیت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ارائه شبیه ساز مدارات متشکل از ترانزیستورهای تک الکترونی چند مقداری در سطح گیت :

تعداد صفحات:7

چکیده:

ترانزیستورهای تک الکنرونی بر اساس انتقال یک به یک الکترون ها عمل می کنند و در عین کوچک بودن، توان مصرفی بسیار پایینی دارند؛ از این رو اینگونه مدارات مورد توجه جدی محققین قرار گرفته است. ارائه شبیه سازی های مختلف برای مدارهای مبتنی بر ترانزیستورهای تک الکترونی به طراحان این امکان را می دهد تا بتوانند مدارات پیشنهادی خود را بیازمایند. در این مقاله برای اولین بار، جهت کاهش پیچیدگی های طراحی مدارات چند مقداری مبتنی بر ترانزیستورهای تک الکترونی، یک برنامه شبیه ساز در سطح گیت برای شبیه سازی این مدارات ارائه شده است. در این شبیه ساز توابع پایه منطق چند مقداری توسط زبان برنامه نویسی ++C پیاده سازی شده است. با استفاده از این شبیه ساز طراح می تواند بدون آنکه درگیر پیچیدگی های طراحی مدار شود، ایده های جدید و توابع بزرگ را شبیه سازی کند و از درستی کارکرد آن مطمئن شود. با استفاده از این برنامه شبیه ساز، یک جمع کننده دو بیتی در منطق سه تایی شبیه سازی شده است و درستی عملکرد مداری آن تایید شده است.

برای دریافت اینجا کلیک کنید