مقاله بررسی پوشش های دی اکسید سیلیکون با پیش ماده تترااتیل اورتوروسیلیکات به روش PECVD

توضیحات

  مقاله بررسی پوشش های دی اکسید سیلیکون با پیش ماده تترااتیل اورتوروسیلیکات به روش PECVD دارای 9 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی پوشش های دی اکسید سیلیکون با پیش ماده تترااتیل اورتوروسیلیکات به روش PECVD  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی پوشش های دی اکسید سیلیکون با پیش ماده تترااتیل اورتوروسیلیکات به روش PECVD،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی پوشش های دی اکسید سیلیکون با پیش ماده تترااتیل اورتوروسیلیکات به روش PECVD :

تعداد صفحات:9
چکیده:
در این تحقیق فیلم های نازک SiO2 به کمک روشPECVDدر دمای اتاق بوسیله یک پلاسمای کوپلی با ترکیبات گازی مختلف TEOS/N2/O2و در توانRFمعین و ولتاژ بایاسDCایجاد شد. ترکیب گاز مورد استفاده شاملsccm40 از گازN2در TEOS 100sccmاز گازN2 وsccm500 از گازO2 می باشد. مقاومت به خراش و شفافیت این فیلم ها می تواند از طریق نرخ رسوب گذاری معادلnm/min30با توان W RF500 و ولتاژ بایاسV dc 350 ایجاد شود. خواص رسوبهایPECVDSiO2 مانند ترکیب شیمیایی، انرژی پیوندی و ; با همین فیلم های تولید شده توسط سایر روش ها مقایسه گردید؛ نتایج نشان داد که این فیلم ها خواص برجسته ای نسبت به روش هایCVDحرارتی و تبخیری دارند. سختی سطح این پوشش ها با ضخامتnm-100- معادل با سطح زیرلایه بود.

برای دریافت اینجا کلیک کنید